服务项目
Project我们的项目
非破坏性分析
电性检测
失效点定位
破坏性物理分析
物理分析
工程样品封装服务
竞争力分析
半导体组建参数分析
电特性测试
点阵信号量测
静电放电/过度电性应力/闩锁试验
利用SMU(Source measurement unit)供应电压或电流，验证与量测半导体组件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲线等)。如电容-电压特性曲线、电压-电流(IV)、电阻、电容、电感值量测或信号波形等， 藉此了解组件的故障行为，以利后续的分析动作。
（1）CMOS 晶体管 Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容和 QSCV （2）双极晶体管 Ic-Vc、二极管、Gummel 曲线图、击穿和电容等 （3）分立器件 Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二极管等 （4）内存 Vth、电容、耐久性测试 （5）功率器件 脉冲 Id-Vg、脉冲 Id-Vd、击穿 （6）纳米器件 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc （7）可靠性测试 NBTI/PBTI、电荷泵、电迁移、热载流子注入、斜坡电流（J-Ramp）、TDDB 等
晶体管、分立器件、功率器件、纳米器件
